BSC12DN20NS3 G

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: BSC12DN20NS3 G
Нормоупаковка: шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор N-Ch 200V 11.3A TDSON-8 OptiMOS 3

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	11.3 A
Pd - рассеивание мощности	50 W
Qg - заряд затвора	6.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	125 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	200 V
Vgs - напряжение затвор-исток	+/- 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	4 ns
Время спада	3 ns
Другие названия товара №	BSC12DN20NS3GATMA1 BSC12DN20NS3GXT SP000781774
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	12 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Infineon
Серия	BSC12DN20
Технология	-
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	10 ns
Типичное время задержки при включении	6 ns
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TDSON-8

Метки: