BSZ12DN20NS3 G

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: BSZ12DN20NS3 G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор N-Ch 200V 11.3A TDSON-8 OptiMOS 3

МОП-транзистор
TARIC (Единый тариф ЕЭС)	8541290000
Высота	1.1 mm
Длина	3.3 mm
Код HTS	8541290075
Ширина	3.3 mm
Id - непрерывный ток утечки	11.3 A
Pd - рассеивание мощности	50 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	108 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	200 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вес изделия	100 mg
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN2NS3GXT SP000781784
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	12 S, 6 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	5000
Технология	Si
Тип транзистора	1 N-Channel
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TSDSON-8
CNHTS	8541290000
MXHTS	85412999
TARIC (Единый тариф ЕЭС)	8541290000

Метки: