SQJ992EP-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SQJ992EP-T1-GE3
Нормоупаковка: шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор Dual N-Channel 60V AEC-Q101 МОП-транзистор

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	15 A, 15 A
Pd - рассеивание мощности	34 W
Qg - заряд затвора	8.1 nC, 8.1 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	125.4 mOhms, 125.4 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V, 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	+/- 20 V, +/- 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.5 V, 1.5 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	6 ns, 6 ns
Время спада	7 ns, 7 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Конфигурация	Dual
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	11 S, 11 S
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Серия	SQ Series
Технология	Si
Тип транзистора	2 N-Channel
Типичное время задержки выключения	12 ns, 12 ns
Типичное время задержки при включении	6 ns, 6 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	PowerPAK SO-8L

Метки: