IXFX26N90

Производитель: IXYS
Номер части: IXFX26N90
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

NRND: Не рекомендуется для новых разработок.

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
IXFX26N90 Лист данных	открыть

МОП-транзистор 26 Amps 900V 0.3 Rds

МОП-транзистор
Высота	21.34 mm
Длина	16.13 mm
Подкатегория	MOSFETs
Тип продукта	MOSFET
Ширина	5.21 mm
Id - непрерывный ток утечки	26 A
Pd - рассеивание мощности	560 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	300 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	900 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вес изделия	1.600 g
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	35 ns
Время спада	24 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	HyperFET
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	IXYS
Размер фабричной упаковки	30
Серия	IXFX26N90
Технология	Si
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	130 ns
Типичное время задержки при включении	60 ns
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3
CAHTS	8541290000
CNHTS	8541500000
ECCN	EAR99
JPHTS	8541290100
KRHTS	8541299000
MXHTS	85415001
TARIC	8541500000
USHTS	8541290095

Метки: