FDFME2P823ZT

FDFME2P823ZT

FDFME2P823ZT
Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: FDFME2P823ZT
Нормоупаковка: 5000 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 5000
МОП-транзистор -20V Integrated P-Ch PwrTrnch w/Sch Diode
МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки - 2.3 A
Pd - рассеивание мощности 1.3 W
Qg - заряд затвора 5.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 95 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток - 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток +/- 8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток - 0.6 V
Вес изделия 25.200 mg
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 4.8 ns
Время спада 16 ns
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 2 Channel
Конфигурация Single with Schottky Diode
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 7 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора P-Channel
Производитель Fairchild Semiconductor
Размер фабричной упаковки 5000
Серия FDFME2P823ZT
Тип транзистора 2 P-Channel
Типичное время задержки выключения 33 ns
Типичное время задержки при включении 4.7 ns
Торговая марка Fairchild Semiconductor
Упаковка Reel
Упаковка / блок microFET-6
Метки:
Страница создана за 0.163 секунд.