DMT10H015LPS-13

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DMT10H015LPS-13
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
DMT10H015LPS-13 Лист данных	скачать

МОП-транзистор 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W

МОП-транзистор
Высота	1 mm
Длина	5.8 mm
Ширина	4.9 mm
Id - непрерывный ток утечки	44 A
Pd - рассеивание мощности	1.3 W
Qg - заряд затвора	33.3 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	16 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вес изделия	96 mg
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	7 nS
Время спада	8.1 nS
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	PowerDI
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	DMT10
Технология	Si
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	19.7 nS
Типичное время задержки при включении	6.5 nS
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	PowerDI5060-8
CNHTS	8541290000
MXHTS	85412999
TARIC	8541290000

Метки: