DMT8012LFG-13

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DMT8012LFG-13
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание	действие
DMT8012LFG-13 Лист данных	скачать

МОП-транзистор 80V N-Ch Enh FET 20Vgs 9.5A 1949pF

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	9.5 A
Pd - рассеивание мощности	2.2 W
Qg - заряд затвора	15 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	14 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	80 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.5 V
Вес изделия	72 mg
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	3.8 ns
Время спада	3.5 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	DMT80
Технология	Si
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	16.5 ns
Типичное время задержки при включении	4.9 ns
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	PowerDI3333-8
CNHTS	8541290000
MXHTS	85412999
TARIC	8541290000

Метки: