Si3585CDV-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: Si3585CDV-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 20 Volts 3.9 Amps 1.4 Watts

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	3.9 A, - 2.1 A
Pd - рассеивание мощности	1.4 W, 1.3 W
Qg - заряд затвора	3.2 nC, 6 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	58 mOhms, 195 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	12 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.5 V, - 1.5 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	20 ns, 10 ns
Время спада	8 ns, 7 ns
Другие названия товара №	SI3585CDV-GE3
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	1 N-Channel, 1 P-Channel
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	12 S, 1 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel, P-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Тип транзистора	1 N-Channel, 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	11 ns, 13 ns
Типичное время задержки при включении	5 ns, 3 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TSOP-6

Метки: