BSZ076N06NS3 G

BSZ076N06NS3 G

BSZ076N06NS3 G
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: BSZ076N06NS3 G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
МОП-транзистор N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS 3
МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки 20 A
Pd - рассеивание мощности 69 W
Qg - заряд затвора 37 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 7.6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 40 ns
Время спада 5 ns
Другие названия товара № BSZ076N06NS3GATMA1 BSZ076N06NS3GXT SP000454420
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение OptiMOS
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 39 S, 20 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель Infineon
Размер фабричной упаковки 5000
Серия OptiMOS 3
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 20 ns
Типичное время задержки при включении 15 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Reel
Упаковка / блок TDSON-8
Метки:
Страница создана за 0.142 секунд.