AUIRF7665S2TR

AUIRF7665S2TR

AUIRF7665S2TR
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: AUIRF7665S2TR
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
AUIRF7665S2TR Лист данных скачать
МОП-транзистор 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET
МОП-транзистор
TARIC (Единый тариф ЕЭС) 8541290000
Высота 0.74 mm
Длина 4.85 mm
Квалификация AEC-Q101
Код HTS 8541290095
Ширина 3.95 mm
Id - непрерывный ток утечки 14.4 A
Pd - рассеивание мощности 30 W
Qg - заряд затвора 8.3 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 62 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 6.4 ns
Время спада 3.6 ns
Другие названия товара № SP001519440
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 8.8 S
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель Infineon
Размер фабричной упаковки 4800
Технология Si
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 7.1 ns
Типичное время задержки при включении 3.8 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Reel
Упаковка / блок DirectFET-SB
CNHTS 8541290000
MXHTS 85412999
TARIC (Единый тариф ЕЭС) 8541290000
Метки:
Страница создана за 0.373 секунд.