DMN3016LDN-7

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DMN3016LDN-7
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
DMN3016LDN-7 Лист данных	скачать

МОП-транзистор N-Ch 30V Dual Enh 20Vgss 1.1W 1115pF

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	7.3 A, 7.3 A
Pd - рассеивание мощности	1.6 W
Qg - заряд затвора	25.1 nC, 25.1 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	24 mOhms, 24 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V, 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	+/- 20 V, +/- 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.4 V, 1.4 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	16.5 ns, 16.5 ns
Время спада	5.6 ns, 5.6 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	Dual
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	-
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	DMN3016
Технология	-
Тип транзистора	2 N-Channel
Типичное время задержки выключения	26.1 ns, 26.1 ns
Типичное время задержки при включении	4.8 ns, 4.8 ns
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	V-DFN-3030-8

Метки: