DMT6016LFDF-13

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DMT6016LFDF-13
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание	действие
DMT6016LFDF-13 Лист данных	скачать

МОП-транзистор 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	8.9 A
Pd - рассеивание мощности	1.9 W
Qg - заряд затвора	17 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	16 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	5.2 ns
Время спада	6.8 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки	10000
Серия	DMT60
Технология	Si
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	12.9 ns
Типичное время задержки при включении	3.4 ns
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	U-DFN2020-F-6
CNHTS	8541210000
MXHTS	85412101
TARIC	8541210000

Метки: