DMN3035LWN-7

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DMN3035LWN-7
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор N-Ch 30V Dual Enh 30Vgss 0.77W 399pF

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	5.5 A, 5.5 A
Pd - рассеивание мощности	1.78 W
Qg - заряд затвора	9.9 nC, 9.9 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	45 mOhms, 45 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V, 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	+/- 20 V, +/- 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V, 1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	3.3 ns, 3.3 ns
Время спада	2 ns, 2 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	Dual
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	-
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	DMN3035
Технология	-
Тип транзистора	2 N-Channel
Типичное время задержки выключения	10.6 ns, 10.6 ns
Типичное время задержки при включении	3 ns, 3 ns
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	V-DFN-3020-8

Метки: