DMG6602SVTQ-7

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DMG6602SVTQ-7
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs Complmtry Enh FET

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	3.4 A, - 2.8 A
Pd - рассеивание мощности	1.27 W
Qg - заряд затвора	9 nC, 7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	100 mOhms, 140 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V, - 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	+/- 20 V, +/- 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V, - 2.3 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	5 ns, 7.3 ns
Время спада	3 ns, 13 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	1 N-Channel, 1 P-Channel
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	4 S, 6 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel, P-Channel
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	DMG6602
Типичное время задержки выключения	13 ns, 20 ns
Типичное время задержки при включении	3 ns, 4.8 ns
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TSOT-26-6

Метки: