TPH6400ENH,L1Q

Производитель: Toshiba
Номер части: TPH6400ENH,L1Q
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Время выполнения производителем: 13 недель

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
TPH6400ENH,L1Q Лист данных	открыть

МОП-транзистор X35PBF Power МОП-транзистор Trans VGS10VVDS200V

МОП-транзистор
Высота	0.95 mm
Длина	5 mm
Подкатегория	MOSFETs
Тип продукта	MOSFET
Ширина	5 mm
Id - непрерывный ток утечки	13 A
Pd - рассеивание мощности	57 W
Qg - заряд затвора	11.2 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	54 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	200 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4 V
Вес изделия	851 mg
Вид монтажа	SMD/SMT
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	U-MOSVIII-H
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Toshiba
Размер фабричной упаковки	5000
Серия	TPH6400ENH
Технология	Si
Тип транзистора	1 N-Channel
Торговая марка	Toshiba
Упаковка	Cut Tape, MouseReel, Reel
Упаковка / блок	SOP-Advance-8
CAHTS	8541290000
CNHTS	8541290000
ECCN	EAR99
JPHTS	8541290100
KRHTS	8541299000
MXHTS	85412999
TARIC	8541290000
USHTS	8541290095

Метки: