Ничего не куплено!
BSB013NE2LXI
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: BSB013NE2LXI
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: BSB013NE2LXI
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| BSB013NE2LXI Лист данных | скачать |
МОП-транзистор N-Ch 25V 163A CanPAK-3 MX OptiMOS
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 163 A |
| Pd - рассеивание мощности | 57 W |
| Qg - заряд затвора | 62 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.3 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V to 2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 6.4 ns |
| Время спада | 4.8 ns |
| Другие названия товара № | BSB013NE2LXIXT BSB013NE2LXIXUMA1 SP000756346 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Конфигурация | Single Dual Drain Dual Source |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 170 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Infineon |
| Размер фабричной упаковки | 5000 |
| Серия | OptiMOS |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 32 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5.4 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | WDSON-2 |
Страница создана за 0.137 секунд.