Ничего не куплено!
DMTH6009LK3Q-13
Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DMTH6009LK3Q-13
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: DMTH6009LK3Q-13
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Цена в Азии: по запросу
Цена в Азии: по запросу
| Описание | действие |
| DMTH6009LK3Q-13 Лист данных | скачать |
МОП-транзистор N-Ch Enh Mode Fet 60Vdss 20Vgss 60W
| МОП-транзистор | |
| TARIC (Единый тариф ЕЭС) | 8541210000 |
| Высота | 2.39 mm |
| Длина | 6.7 mm |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Код HTS | 8541210095 |
| Продукт | MOSFET |
| Тип | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Ширина | 6.2 mm |
| Id - непрерывный ток утечки | 59 A |
| Pd - рассеивание мощности | 60 W |
| Qg - заряд затвора | 33.5 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 10 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.4 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 8.6 ns |
| Время спада | 15.7 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | DMTH6009LK3 |
| Технология | Si |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 35.9 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4.5 ns |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| CNHTS | 8541210000 |
| MXHTS | 85412101 |
| TARIC (Единый тариф ЕЭС) | 8541210000 |
Страница создана за 0.175 секунд.