BSC750N10ND G

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: BSC750N10ND G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор N-Ch 100V 13A TDSON-8 OptiMOS 2

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	13 A
Pd - рассеивание мощности	1.5 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	75 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	4 ns
Время спада	4 ns
Другие названия товара №	BSC750N10NDGATMA1 BSC750N10NDGXT SP000359610
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	OptiMOS
Конфигурация	Dual Dual Drain
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	5000
Серия	OptiMOS 2
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	13 ns
Типичное время задержки при включении	9 ns
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TDSON-8

Метки: