TPH1R712MD,L1Q

TPH1R712MD,L1Q

TPH1R712MD,L1Q
Производитель: Toshiba
Номер части: TPH1R712MD,L1Q
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации: Новая технология: Новейшая технология для самых последних разработок.
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
TPH1R712MD,L1Q Лист данных скачать
МОП-транзистор P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI
МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки - 60 A
Pd - рассеивание мощности 78 W
Qg - заряд затвора 182 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1.35 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток - 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток 12 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 14 ns
Время спада 27 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Полярность транзистора P-Channel
Производитель Toshiba
Технология Si
Типичное время задержки выключения 1620 ns
Типичное время задержки при включении 27 ns
Торговая марка Toshiba
Упаковка Reel
Упаковка / блок SOP-Advance-8
Метки:
Страница создана за 0.176 секунд.