BSZ088N03MS G

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: BSZ088N03MS G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	11 A
Pd - рассеивание мощности	2.1 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	8.8 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	3 ns
Время спада	2.4 ns
Другие названия товара №	BSZ088N03MSGATMA1 BSZ088N03MSGXT SP000311509
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	OptiMOS
Конфигурация	Single Quad Drain Triple Source
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	5000
Серия	OptiMOS 3M
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	18 ns
Типичное время задержки при включении	4.3 ns
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TSDSON-8

Метки: