Ничего не куплено!
BSZ900N20NS3GATMA1
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: BSZ900N20NS3GATMA1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: BSZ900N20NS3GATMA1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| BSZ900N20NS3GATMA1 Лист данных | скачать |
МОП-транзистор N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3
| МОП-транзистор | |
| Высота | 1.1 mm |
| Длина | 3.3 mm |
| Ширина | 3.3 mm |
| Id - непрерывный ток утечки | 15.2 A |
| Pd - рассеивание мощности | 62.5 W |
| Qg - заряд затвора | 11.6 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 77 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вес изделия | 36 mg |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | BSZ900N20NS3 BSZ9N2NS3GXT G SP000781806 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 8 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Infineon |
| Размер фабричной упаковки | 5000 |
| Серия | OptiMOS 3 |
| Технология | Si |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 10 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | TSDSON-8 |
Страница создана за 0.253 секунд.