Si2366DS-T1-GE3

Si2366DS-T1-GE3

Si2366DS-T1-GE3
Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: Si2366DS-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
МОП-транзистор 30 Volts 5.8 Amps 2.1 Watts
МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки 5.8 A
Pd - рассеивание мощности 2.1 W
Qg - заряд затвора 6.4 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 30 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 12 ns
Время спада 8 ns
Другие названия товара № SI2366DS-GE3
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 13 S
Полярность транзистора N-Channel
Производитель Vishay
Размер фабричной упаковки 3000
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 14 ns
Типичное время задержки при включении 5 ns
Торговая марка Vishay Semiconductors
Упаковка Reel
Упаковка / блок SOT-23-3
Метки:
Страница создана за 0.685 секунд.