SIHB10N40D-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIHB10N40D-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 400V 600mOhm@10V 10A N-Ch D-SRS

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	10 A
Pd - рассеивание мощности	147 W
Qg - заряд затвора	15 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	600 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	400 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	5 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	18 ns
Время спада	14 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	E
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	18 ns
Типичное время задержки при включении	12 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	D2PAK-3

Метки: