SI7892BDP-T1-E3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SI7892BDP-T1-E3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 30V 25A 0.0042Ohm

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	25 A
Pd - рассеивание мощности	5 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	4.2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	20 ns
Время спада	35 ns
Другие названия товара №	SI7892BDP-E3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET/PowerPAK
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	85 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	100 ns
Типичное время задержки при включении	30 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SO-8

Метки: