BSC084P03NS3E G

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: BSC084P03NS3E G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор P-Ch -30V -78.6A TDSON-8 OptiMOS P3

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	- 78.6 A
Pd - рассеивание мощности	69 W
Qg - заряд затвора	43.4 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	8.4 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	- 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	25 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	133.5 nS
Время спада	8.1 ns
Другие названия товара №	BSC084P03NS3EGATMA1 BSC084P03NS3EGXT SP000473012
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	OptiMOS
Конфигурация	Single Quad Drain Triple Source
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	P-Channel
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	5000
Серия	OptiMOS P3
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	33.3 nS
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TDSON-8

Метки: