IPD80N04S3-06

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: IPD80N04S3-06
Нормоупаковка: 2500 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

NRND: Не рекомендуется для новых разработок.

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 2500

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
IPD80N04S3-06 Лист данных	скачать

МОП-транзистор N-Ch 40V 80A DPAK-2 OptiMOS-T

МОП-транзистор
Высота	2.3 mm
Длина	6.5 mm
Квалификация	AEC-Q101
Ширина	6.22 mm
Id - непрерывный ток утечки	80 A
Pd - рассеивание мощности	100 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	40 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вес изделия	4 g
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	10 ns
Время спада	10 ns
Другие названия товара №	IPD80N04S306ATMA1 IPD8N4S36XT SP000261220
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	OptiMOS
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	OptiMOS-T
Технология	Si
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	20 ns
Типичное время задержки при включении	15 ns
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TO-252-3
CNHTS	8541290000
MXHTS	85412999
TARIC	8541290000

Метки: