DMTH6005LPSQ-13

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DMTH6005LPSQ-13
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
DMTH6005LPSQ-13 Лист данных	скачать

МОП-транзистор 60V 175c N-Ch FET 5.5mOhm 10Vgs 100A

МОП-транзистор
Квалификация	AEC-Q101
Продукт	MOSFETs
Тип	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Id - непрерывный ток утечки	100 A
Pd - рассеивание мощности	150 W
Qg - заряд затвора	47.1 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	10 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
Вес изделия	96 mg
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	9.4 ns
Время спада	8.9 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	DMTH6005
Технология	Si
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	22 ns
Типичное время задержки при включении	8.3 ns
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	PowerDI5060-8
CNHTS	8541290000
MXHTS	85412999
TARIC	8541290000

Метки: