DMT10H010LCT

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DMT10H010LCT
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
DMT10H010LCT Лист данных	скачать

МОП-транзистор 100V N-Ch Enh FET 9.5mOHm 10V 98A

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	98 A
Pd - рассеивание мощности	139 W
Qg - заряд затвора	53.7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	6.9 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.4 V
Вес изделия	1.800 g
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	14.1 ns
Время спада	22 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки	50
Серия	DMT10H010
Технология	Si
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	42.9 ns
Типичное время задержки при включении	11.6 ns
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3

Метки: