Ничего не куплено!


| Описание | действие |
| 2N2102 Лист данных | скачать |
| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Другие названия товара № | BK |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 10 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 120 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 65 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 60 MHz |
| Производитель | Central Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Серия | 2N2102 |
| Торговая марка | Central Semiconductor |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | TO-39 |