Ничего не куплено!


| Описание | действие |
| MPS651 Лист данных (PDF) | скачать |
| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Высота | 5.33 mm |
| Длина | 5.2 mm |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 75 |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 75 MHz |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Ширина | 4.19 mm |
| Pd - рассеивание мощности | 625 mW |
| Вес изделия | 201 mg |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.8 A |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 5000 |
| Технология | Si |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| CAHTS | 8541210000 |
| CNHTS | 8541210000 |
| ECCN | EAR99 |
| TARIC | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |