Ничего не куплено!
Биполярные транзисторы - BJT | |
Pd - рассеивание мощности | 75000 mW |
Вид монтажа | Through Hole |
Другие названия товара № | C0G |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 15 at 1 A at 5 V, 8 at 2 A at 5 V |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 15 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 700 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 9 V |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 4 MHz |
Производитель | Taiwan Semiconductor |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Торговая марка | Taiwan Semiconductor |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |