HN1B04FE-Y,LF

Производитель: Toshiba
Номер части: HN1B04FE-Y,LF
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	100 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	120 at 2 mA at 6 V, 120 at - 2 mA at - 6 V
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	400 at 2 mA at 6 V, 400 at - 2 mA at - 6 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	150 mA, - 150 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V, - 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V, - 50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	100 mV, - 100 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V, - 5 V
Полярность транзистора	NPN, PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	80 MHz, 80 MHz
Производитель	Toshiba
Технология	Si
Торговая марка	Toshiba
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-563-6

Метки: