2N5210BU

Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: 2N5210BU
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание	действие
2N5210BU Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы - BJT NPN Transistor General Purpose

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	625 mW
Вес изделия	179 mg
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	200
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	600
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.1 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.7 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	4.5 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	30 MHz
Производитель	Fairchild Semiconductor
Размер фабричной упаковки	10000
Серия	2N5210
Торговая марка	Fairchild Semiconductor
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-92

Метки: