Ничего не куплено!
Описание | действие |
2N3839 Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы - BJT | |
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 30 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.04 A |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 15 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 2.5 V |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 2 GHz |
Производитель | Central Semiconductor |
Размер фабричной упаковки | 2000 |
Серия | 2N3839 |
Торговая марка | Central Semiconductor |
Упаковка | Box |
Упаковка / блок | TO-72 |