Ничего не куплено!


| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 200 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 700 |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 120 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 120 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 100 MHz |
| Производитель | Toshiba |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | TO-236 MOD |