Ничего не куплено!
Описание | действие |
2N3505 Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы - BJT | |
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 100 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
Максимальный постоянный ток коллектора | 150 mA |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 400 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 200 MHz |
Производитель | Central Semiconductor |
Размер фабричной упаковки | 2000 |
Серия | 2N3505 |
Торговая марка | Central Semiconductor |
Упаковка | Bulk |
Упаковка / блок | TO-18 |