Ничего не куплено!


| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 75 |
| Конфигурация | Dual |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 75 V, 60 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V, 60 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V, 1.6 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V, 5 V |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 300 MHz, 200 MHz |
| Производитель | Central Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | CMKT22 |
| Торговая марка | Central Semiconductor |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SOT-363 |