Ничего не куплено!


| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Pd - рассеивание мощности | 100 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 80 at 10 mA at 5 V |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 240 at 10 mA at 5 V |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 30 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 12 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 3 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 7 GHz |
| Производитель | Toshiba |
| Технология | Si |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SOT-416-3 |