2N3055G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: 2N3055G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Время выполнения производителем: 8 недель

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
2N3055G Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы - BJT NPN 15A 60V

Биполярные транзисторы - BJT
Высота	8.51 mm
Длина	39.37 mm
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	20
Подкатегория	Transistors
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	2.5 MHz
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Ширина	26.67 mm
Pd - рассеивание мощности	115000 mW
Вес изделия	12 g
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	15 A
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Полярность транзистора	NPN
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	100
Серия	2N3055
Технология	Si
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Tray
Упаковка / блок	TO-204-2
CAHTS	8541290000
CNHTS	8541290000
ECCN	EAR99
JPHTS	8541290100
KRHTS	8541299000
MXHTS	85412999
TARIC	8541290000
USHTS	8541290095

Метки: