2N5550

Производитель: Central Semiconductor
Номер части: 2N5550
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT NPN Gen Pur SS

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	625 mW
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	BK
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	60 at 1 mA at 5 V, 60 at 10 mA at 5 V, 20 at 50 mA at 5 V
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.6 A
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	160 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	140 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.25 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	300 MHz
Производитель	Central Semiconductor
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	2N5550
Торговая марка	Central Semiconductor
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-92-3

Метки: