Ничего не куплено!
UMT1NTN
Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: UMT1NTN
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: UMT1NTN
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| UMT1NTN Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы - BJT DUAL PNP 50V 150MA SOT-363
| Биполярные транзисторы - BJT | |
| TARIC (Единый тариф ЕЭС) | 8541290000 |
| Высота | 0.9 mm |
| Длина | 2 mm |
| Код HTS | 8541290095 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Непрерывный коллекторный ток | - 150 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 140 MHz |
| Ширина | 1.25 mm |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Вес изделия | 7.500 mg |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | UMT1N |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Dual |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.15 A |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 60 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 6 V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Производитель | ROHM Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | UMT1N |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| CNHTS | 8541290000 |
| MXHTS | 85412999 |
| TARIC (Единый тариф ЕЭС) | 8541290000 |
Страница создана за 0.213 секунд.