2N5629

Производитель: Central Semiconductor
Номер части: 2N5629
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
2N5629 Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы - BJT NPN High Pwr

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	200 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	4 at 16 A, 2 V
Максимальная рабочая температура	+ 200 C
Максимальный постоянный ток коллектора	16 A
Минимальная рабочая температура	- 60 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	100 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	1 MHz
Производитель	Central Semiconductor
Размер фабричной упаковки	20
Серия	2N5629
Торговая марка	Central Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-3

Метки: