Ничего не куплено!


| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Pd - рассеивание мощности | 5 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 10 |
| Конфигурация | Dual |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 220 |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | - 3 A |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 100 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 100 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 8 V |
| Полярность транзистора | PNP/PNP |
| Производитель | NXP |
| Размер фабричной упаковки | 1500 |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | LFPAK56D-8 |