2SC6026MFVGR,L3F

2SC6026MFVGR,L3F

2SC6026MFVGR,L3F
Производитель: Toshiba
Номер части: 2SC6026MFVGR,L3F
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Биполярные транзисторы - BJT VESM PLN
Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности 150 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe 120
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 400
Максимальный постоянный ток коллектора 150 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.15 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 60 MHz
Производитель Toshiba
Торговая марка Toshiba
Упаковка Reel
Упаковка / блок SOT-723-3
Метки:
Страница создана за 0.264 секунд.