Ничего не куплено!
Биполярные транзисторы - BJT | |
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 1200 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 1200 at 1 mA at 5 V |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 300 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 12 V |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 250 MHz |
Производитель | ROHM Semiconductor |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | 2SD2226K |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка | Reel |
Упаковка / блок | SOT-346-3 |