Ничего не куплено!


| Описание | действие |
| BC847BHZGT116 Лист данных | скачать |
| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |
| Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | BC847BHZG |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 450 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 600 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Производитель | ROHM Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| CNHTS | 8541210000 |
| MXHTS | 85412999 |