VT6T11T2R

Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: VT6T11T2R
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Новый продукт: Новинка от этого производителя.

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
VT6T11T2R Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы - BJT PNP+PNP -20VCEO-0.2A VMT6

Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	120
Непрерывный коллекторный ток	- 200 mA
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	350 MHz
Pd - рассеивание мощности	150 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	VT6T11
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	560
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	- 200 mA
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 20 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 20 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	- 120 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	- 5 V
Полярность транзистора	PNP
Производитель	ROHM Semiconductor
Размер фабричной упаковки	8000
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	VMT-6

Метки: