Ничего не куплено!


| Описание | действие |
| FGB3040G2-F085 Лист данных | скачать |
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Подкатегория | IGBTs |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Pd - рассеивание мощности | 150 W |
| Вес изделия | 1.312 g |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | FGB3040G2_F085 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 10 V |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.15 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 41 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 25.6 A |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Серия | FGB3040G2_F085 |
| Технология | Si |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| Упаковка / блок | TO-263AB-3 |
| CAHTS | 8541290000 |
| CNHTS | 8541290000 |
| ECCN | EAR99 |
| JPHTS | 8541290100 |
| KRHTS | 8541299000 |
| MXHTS | 85412999 |
| TARIC | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |