IHW30N160R2

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: IHW30N160R2
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
IHW30N160R2 Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	312 W
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	IHW30N160R2FKSA1 IHW30N160R2XK SP000273701
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 25 V
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1.6 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.35 V
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	60 A
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	240
Серия	IHW30N160
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3

Метки: