HGTG12N60C3D

Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: HGTG12N60C3D
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 24a 600V IGBT UFS N-Channel

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	104 W
Вес изделия	6.390 g
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	HGTG12N60C3D_NL
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.65 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	24 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	24 A
Производитель	Fairchild Semiconductor
Размер фабричной упаковки	450
Серия	HGTG12N60
Ток утечки затвор-эмиттер	+/- 100 nA
Торговая марка	Fairchild Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3

Метки: